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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

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3M
更新时间:2024-5-16 19:09:01
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