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HM35P03D

丝印代码:HM35P03D;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.21556 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM35P03D

P沟道 中压大电流MOS

HMPOWERSEMI

虹美功率

丝印代码:HM35P03;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.37951 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -35A, RDS(ON) =36mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =57mΩ @VGS = -5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -35A, RDS(ON) =36mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =57mΩ @VGS = -5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

丝印代码:35P03;P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:364.97 Kbytes Page:4 Pages

SECOS

喜可士

HM35P03D产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装(Package):

    DFN5X6-8L

  • 沟道(Polarity):

    P沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    -30.00V

  • ID(Max)ID(A):

    -35.00A

  • IDM:

    -105.00A

  • VTH(Typ):

    -1.75V

  • VGS:

    -20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    8.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    11.50mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    AON6405/AON6435/AON6413

更新时间:2026-7-29 22:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HM
26+
SOP8
18000
HM
SOP8
210
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
HZM
26+
MSOP10
326295
专业代理模拟开关IC优势产品
HM
SOP8
125000
一级代理原装正品,价格优势,长期供应!
HM
25+
SOP8
15000
全新原装现货,价格优势
SOT-89
25+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
SHENFA
24+
SOIC8
999999
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25+
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9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
HMI
1846+
3477
全新 发货1-2天

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