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HM35P03D

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●ReliableandRugged

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

爱德微爱德微(深圳)电子有限公司

ADV

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-35A,RDS(ON)=36mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=57mΩ@VGS=-5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-35A,RDS(ON)=36mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=57mΩ@VGS=-5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
更新时间:2025-5-14 12:31:00
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