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CEB35P03

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -35A, RDS(ON) =36mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =57mΩ @VGS = -5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -35A, RDS(ON) =36mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =57mΩ @VGS = -5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

丝印代码:HM35P03;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.37951 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

丝印代码:HM35P03D;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.21556 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

丝印代码:35P03;P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:364.97 Kbytes Page:4 Pages

SECOS

喜可士

CEB35P03产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CEB35P03

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2026-5-13 19:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CET
02+
TO-263
4000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CET
23+
TO263
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!
CET
24+
TO-263
525600
TOSHIBA/东芝
23+
TO-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
CET/華瑞
23+
TO263
28888
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CET
23+
TO-263
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
SR
23+
T0-263
5000
原装正品,假一罚十
CET
25+
TO-263
90000
进口原装现货假一罚十价格合理
CET
23+
TO-263
7300
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