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HM35P03

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

HM35P03

P沟道 中压大电流MOS

hmpowersemi

虹美功率

P沟道 中压大电流MOS

hmpowersemi

虹美功率

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.21556 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● Reliable and Rugged

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爱德微

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -35A, RDS(ON) =36mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =57mΩ @VGS = -5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -35A, RDS(ON) =36mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =57mΩ @VGS = -5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

更新时间:2025-9-22 17:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐 手机:18975515225 原装正品 大量现货,有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信:wei555222777

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