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20-Bit, 20 MSPS, Differential SAR ADC

FEATURES ► High performance ► Throughput: 20MSPS, 77.50ns conversion latency ► INL: ±4ppm (typical), ±8ppm (maximum) ► Dynamic range: 94.6dBFS ► SNR/THD ► 94dB (typical)/−117.3dB (typical) at fIN = 1kHz ► 93.7dB (typical)/−103.7dB (typical) at fIN = 1MHz ► Noise spectral density: −164.6dBF

AD

亚德诺

20-Bit, 20 MSPS, Differential SAR ADC

FEATURES ► High performance ► Throughput: 20MSPS, 77.50ns conversion latency ► INL: ±4ppm (typical), ±8ppm (maximum) ► Dynamic range: 94.6dBFS ► SNR/THD ► 94dB (typical)/−117.3dB (typical) at fIN = 1kHz ► 93.7dB (typical)/−103.7dB (typical) at fIN = 1MHz ► Noise spectral density: −164.6dBF

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亚德诺

Quad 2-input AND gate

Description BU4001B series ICs are 2-input positive logic NOR gates, each with four built-in circuits. A buffer achieved by an inverter added at the gate output improves the input / output propagation characteristics and minimizes variation in the propagation time caused by an increase in the loa

ROHM

罗姆

Flat Vibration Switch - Breadboard friendly

文件:314.62 Kbytes Page:2 Pages

Adafruit

更新时间:2025-12-28 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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HIP4081AP芯片相关品牌

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    2025-1-15
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    2020-10-30
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    2020-2-8
  • HIP2100-100V/2A山顶,低成本,高频率的一半桥驱动器

    100V/2A山顶,低成本,高频率半桥驱动 该HIP2100是一个高频率,100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路,可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制,并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手,高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。 特点 •驱动N沟道MOSFET半桥 •

    2013-3-4
  • HIP4080-80V/2.5A峰值,高频全桥FET驱动器

    说明 该HIP4080是一个高频率,中压全桥N沟道场效应管驱动IC,在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器,用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡(高启动)铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET,保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的,是非常适合的HIP4080音圈马达驱动,D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达,二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达,因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍,可以调整到接近零,

    2013-3-4
  • HIP5010-为7V,17A条SynchroFET⑩互补驱动同步半桥

    为7V,17A条SynchroFET™互补永磁同步半桥 设计采用P6和奔腾®记住,Intersil的SynchroFET™系列提供了一种新途径实施同步整流降压开关稳压器。该SynchroFET取代两间电力DMOSs,肖特基二极管,两个栅极驱动器和同步控制电路。该互补驱动电路的开启和场效应管上较低的FET关断时,由PWM输入为高。当由PWM输入变为低上部场效应管熄灭,较低的FET导通。该HIP5011有一个PWM引脚,反转从到相输入的关系。这种架构允许设计人员利用一个低成本的单端PWM在任何一个控制器电流或电压模式配置。该SynchroFET工作

    2013-3-3