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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HGTG34N100E2 | 34A, 1000V N-Channel IGBT Description The HGTG34N100E2 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies o | Intersil |   | |
HGTG34N100E2 | 34A, 1000V N-Channel IGBT | RENESAS 瑞萨 | |
HGTG34N100E2产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGTG34N100E2
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
- 制造商
Harris Corporation
更新时间：2025-11-23 22:20:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
TO-247-3 |
30000 |
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ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3 |
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只做原装,质量保证 |
|||
Intersil |
24+ |
TO-247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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HGTG34N100E2规格书下载地址
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