位置：首页 > IC中文资料第2375页 > HGTG27N60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)typ.=180mohm,Id=27A) HEXFET®PowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications HardSwitch | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.22Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
PowerMOSFET 文件：214.44 Kbytes Page：11 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  | | |
PowerMOSFET 文件：156.63 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
PowerMOSFET 文件：191.88 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
HGTG27N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGTG27N60
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
- 制造商
Harris Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-247 |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
VISHAY/ |
2020+ |
TO-247- |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-247AC |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-247-3 |
2000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
Vishay |
21+ |
N/A |
34900 |
深圳通 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-3P |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-247 |
65480 |
||||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
IR原装 |
21+ |
TO-247 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
VISHAY |
21+ |
TO-247-3 |
12880 |
公司只做原装,诚信经营 |
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2020-6-23HHC67E-1H-12VDC
HHC67E-1H-12VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-20HHC67E-1H-24VDC
HHC67E-1H-24VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-21
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