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位置：首页 > IC中文资料第1644页 > HGTG20N60B3D_Q

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HGTG20N60B3

40A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

TheHGT1S20N60B3S,theHGTP20N60B3andtheHGTG20N60B3areGenerationIIIMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.T

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTG20N60B3

40A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

TheHGT1S20N60B3S,theHGTP20N60B3andtheHGTG20N60B3areGenerationIIIMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduction lossofabipolartransistor

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
HGTG20N60B3

40A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

TheHGT1S20N60B3S,theHGTP20N60B3andtheHGTG20N60B3areGenerationIIIMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.T

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
G20N60B3

40A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGTG20N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
G20N60B3D

40A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGTG20N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGTG20N60B3D_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTG20N60B3D_Q

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

HGTG20N60B3D_Q供应商更多...

更新时间：2025-8-4 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
HGTG20N60B3
onsemi(安森美)
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HGTG20N60B3
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HGTG20N60B3
FSC/ON
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原包装原封 □□
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原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存
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HGTG20N60B3
ON/安森美
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HGTG20N60B3
ON/安森美
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HGTG20N60B3
FAIRCHILD
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HGTG20N60B3D
Freescale(飞思卡尔)
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深圳市拓亿芯电子有限公司
HGTG20N60B3
FSC
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TO-247
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代理全新原装现货,价格优势
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