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HGTG20N100D2

20A, 1000V N-Channel IGBT

Description The HGTG20N100D2 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies o

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HGTG20N100D2

20A, 1000V N-Channel IGBT

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HGTG20N100D2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTG20N100D2

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2026-1-26 20:53:00
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