型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HGT1N40N60A4D

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGT1N40N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofaMOSFETandabipolartransistor.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltage dropvariesonly

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1N40N60A4D

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:托盘 描述:IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGT1N40N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofaMOSFETandabipolartransistor.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltage dropvariesonly

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGT1N40N60A4D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT1N40N60A4D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 45A 600V N-Ch

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-24 12:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
22+
NA
1120
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
安森美
21+
12588
原装现货,价格优势
FairchildSemiconductor
2022
SOT-227-4,miniBLOC
58
原厂原装正品,价格超越代理
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
FAIRCHIL
23+
MODULE
7300
专注配单,只做原装进口现货
FAIRCHILD
2306+
MODULE
516
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
FAIRCHILD
22+23+
TO263
36872
绝对原装正品全新进口深圳现货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO263
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
FAIRCHIL
08+(pbfree)
TO-263
8866

HGT1N40N60A4D芯片相关品牌

  • AMPHENOL
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