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30VN-ChannelPower

Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.9mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

30VN-ChannelPower

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.9mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowon

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

30A竊?0VN-CHANNELMOSFET

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KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-7-30 23:00:01
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