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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 80 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 12 A) RDS(on)2

RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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Up to 110A 460 Vac Phase Angle Controller

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TELEDYNE

华特力科

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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強茂

更新时间:2026-1-1 17:00:01
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