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NP24N10DLB

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffect Transistordesignedforhighcurrentswitching applications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=80mΩMAX.(VGS=10V,ID=12A) RDS(on)2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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Upto110A460VacPhaseAngleController

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TELEDYNE

Teledyne Technologies Incorporated

TELEDYNE

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:212.81 Kbytes Page:5 Pages

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
更新时间:2025-6-12 23:00:00
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