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H9926S

DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A)

Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit

HSMC

华昕

HSMC

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

6A竊?0VDualN-CHANNELMOSFET

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KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

H9926S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H9926S

  • 制造商

    HSMC

  • 制造商全称

    HSMC

  • 功能描述

    Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(20V, 6A)

更新时间:2024-4-26 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
华听
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SOP8
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HI-SIN华昕
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HARRIS
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DIP-14
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华听
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SOP-8
30000
原装现货,假一赔十.

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