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H7P0601DS

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive · DC-DC converter · power switch and solenoid drive

ISC

无锡固电

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7P0601DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7P0601DS

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Tray

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    MOSFET

更新时间:2025-8-13 17:06:00
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