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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: RDS(on)= 0.09 Ωtyp. • Low leakage current: IDSS = 10 µA max (at VDS = 500 V) • High speed switching: tf = 280 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 25 A) • Low gate charge: Qg = 220 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 50 A) • Avalanche rati | RENESAS 瑞萨 |   | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：55.32 Kbytes Page：4 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：55.32 Kbytes Page：4 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H5N5004PL(E)产品属性
- 类型
描述
- 型号
H5N5004PL(E)
- 制造商
Renesas
- 功能描述
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Box
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-264 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-264 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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RENESAS |
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TO-252 |
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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Renesas |
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TO-264 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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RENESAS |
24+ |
TO-252 |
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只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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RENESAS |
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瑞萨Renesa |
22+ |
TO-3PL |
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TO-220F |
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2019-9-25
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