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H5N5004PL中文资料

厂家型号

H5N5004PL

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5

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

H5N5004PL数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance: RDS(on)= 0.09 Ωtyp.

• Low leakage current: IDSS = 10 µA max (at VDS = 500 V)

• High speed switching: tf = 280 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 25 A)

• Low gate charge: Qg = 220 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 50 A)

• Avalanche ratings

• Built-in fast recovery diode: trr = 190 ns typ

H5N5004PL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H5N5004PL

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-5 15:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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