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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
G30N60C3D

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

Features •63A,600VatTC=25oC •TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC •ShortCircuitRating •LowConductionLoss •HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTG30N60C3

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG30N60C3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HGTG30N60C3D

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTG30N60C3D

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

Description TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso

HARRIS

HARRIS corporation

HARRIS
HGTG30N60C3D

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

IntersilIntersil Corporation

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H30N60C3供应商更多...

更新时间：2024-6-4 17:18:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳兆威电子有限公司
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FAIRCHILD/仙童
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
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全新原装品牌专营
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