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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECH

合科泰

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

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TUOFENG

拓锋半导体

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

20V P-Channel Increased MOS FET

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富满微

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-29 17:29:01
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