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GT50J121

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications Fast Switching Applications • Fourth-generation IGBT • Enhancement mode type • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) • High speed: tf = 0.05 μs (typ.) • Low switching loss : Eon = 1.30 mJ (typ.)

TOSHIBA

东芝

GT50J121

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

GT50J121

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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TOSHIBA

东芝

封装/外壳:TO-3PL 包装:管件 描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ETC

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Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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东芝

GT50J121产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT50J121

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

更新时间:2025-8-7 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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NA/
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原厂直销,现货供应,账期支持!
TOSHIBA
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QFN
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绝对原厂支持只做自己现货优势
TOS
23+
TO-3P
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TOSHIBA/东芝
22+
TO-3PL
12245
现货,原厂原装假一罚十!
TOSHIBA
TO-3PL
9850
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA
25+23+
TO-3PL
36822
绝对原装正品全新进口深圳现货

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