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GT50J121中文资料

厂家型号

GT50J121

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功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

GT50J121数据手册规格书PDF详情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

• Fourth-generation IGBT

• Enhancement mode type

• Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

• High speed: tf = 0.05 μs (typ.)

• Low switching loss : Eon = 1.30 mJ (typ.)

: Eoff = 1.34 mJ (typ.)

• Low saturation Voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

GT50J121产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT50J121

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

更新时间:2026-2-28 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
17+
TO-3P(LH)
31518
原装正品 可含税交易
TOSHIBA
24+/25+
60
原装正品现货库存价优
TOSHIBA
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
TOSHIBA
23+
TO-264
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
TOSHIBA
25+23+
TO-3PL
36822
绝对原装正品全新进口深圳现货
TOSHIBA
25+
TO-264
30000
代理全新原装现货,价格优势
TOSHIBA
1932+
TO-264
399
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA
TO-3PL
9850
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA
23+
TO-264
50000
全新原装正品现货,支持订货
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百