位置：首页 > IC中文资料第1948页 > GT50J121(Q)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GT50J121(Q) | 封装/外壳：TO-3PL 包装：管件 描述：IGBT 600V 50A 240W TO3P LH 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications • Fourth-generation IGBT • Enhancement mode type • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) • High speed: tf = 0.05 μs (typ.) • Low switching loss : Eon = 1.30 mJ (typ.) | TOSHIBA 东芝 | | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | | ||
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：190.73 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
GT50J121(Q)产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT50J121(Q)
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/50A DIS
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
12388 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TOSHIBA |
21+ |
TO-3P |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
TOS |
23+ |
TO-3P |
65480 |
||||
东芝TOSHIBA |
23+24 |
TO-3PL |
9860 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
|||
INFINEON |
100 |
原装现货,价格优惠 |
|||||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO3PL |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
23+ |
TO-3P |
8000 |
只做原装现货 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-3P(N) |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
TOS |
24+ |
TO-3PL |
1000 |
||||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
GT50J121(Q)规格书下载地址
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原装正品现货
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GT24C1024-2GLI，全新原装.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
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GT50GR22 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-1GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-14
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