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N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

Discrete IGBTs

文件:835.68 Kbytes Page:16 Pages

TOSHIBA

东芝

N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage:VCE (sat) = 8V (Max.) (IC = 150A) ● Enhancement−Mode ● 12V Gate Drive

TOSHIBA

东芝

GT25G102(SM)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT25G102(SM)

  • 功能描述

    TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR

更新时间:2025-11-27 17:04:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2020-5-14
  • GST5009MLF

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