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GT25G102SM

N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage:VCE (sat) = 8V (Max.) (IC = 150A) ● Enhancement−Mode ● 12V Gate Drive

TOSHIBA

东芝

N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

Discrete IGBTs

文件:835.68 Kbytes Page:16 Pages

TOSHIBA

东芝

GT25G102SM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT25G102SM

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    N CHANNEL IGBT(STROBE FLASH APPLICATIONS)

更新时间:2025-8-8 15:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSH
23+
65480
HRS
ROHS
13352
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
HRS/广濑
24+
NA/
12
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