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GT25G102

N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

GT25G102

Discrete IGBTs

文件:835.68 Kbytes Page:16 Pages

TOSHIBA

东芝

N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage:VCE (sat) = 8V (Max.) (IC = 150A) ● Enhancement−Mode ● 12V Gate Drive

TOSHIBA

东芝

GT25G102产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT25G102

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    N CHANNEL IGBT(STROBE FLASH APPLICATIONS)

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
4500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
TOSHIBA/东芝
22+
SOT263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
TOSHIBA
00+
STO-262
1982
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA
24+
TO-262
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
TOSH
23+
65480
TOS
23+
标准封装
15352
振宏微原装正品,假一罚百
TOSHIBA
06+
TO-247
10000
全新原装 绝对有货
TOSHIBA
22+
TO-263
8000
原装正品支持实单
TOSHIBA
24+
TO-262
8182
新进库存/原装
HRS/广濑
23+
12P
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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