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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.06059 Mbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件:893.02 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:420.84 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2026-1-1 10:05:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2022+
TO-263
568
原厂代理 终端免费提供样品
CET华瑞
26+
TO-263
12000
原装,正品
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
CET/華瑞
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
CET
25+
TO-263
1600
原装正品,假一罚十!
SUMIDA
24+
SOP4
8336
公司现货库存,支持实单
CET华瑞
25+
TO-263
8000
只有原装
CET
24+
TO-263
27500
原装正品,价格最低!
CET
23+
TO-263
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
CET/華瑞
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税

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