| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=100V, ID=3A RDS(ON) | GWSEMI 唯圣电子 |   | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.43704 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：3.18825 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：2.70066 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
N-Channel MOSFET 文件：362.46 Kbytes Page：4 Pages | KEXIN 科信电子 | |
更新时间：2025-10-22 13:34:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJITSU/富士通 |
24+ |
MODOULE |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
HYNIX |
24+ |
QFP |
280 |
原装现货假一罚十 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ST |
22+ |
TO220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
VBsemi |
21+ |
TO220F |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VBsemi |
23+ |
TO220F |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
|||
ST |
25+ |
TO-220F |
16900 |
原装，请咨询 |
|||
HYNIX |
23+ |
BGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
MIETEC |
23+ |
32543 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
GP3N10S规格书下载地址
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类别 传感器，变送器 光学传感器 - 测距 制造商 SHARP/Socle Technology 系列 - 包装 托盘 零件状态 有源 感应距离 4 ~ 50cm 输出类型 模拟 电压 - 供电 2.7V ~ 3.3V 不同距离时电压 - 输出差异（典型值） 1.65V @ 4 ~ 50cm 不同距离时电压 - 输出（典型值） 550mV @ 50cm 工作
2021-1-26GP60S50X
GP60S50X，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-10
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