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GP19NC60SD

20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode

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意法半导体

19 A - 600 V - very fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High frequency operation Applications ■ High frequency motor drives ■ SMPS and PFC i

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意法半导体

19 A - 600 V - very fast IGBT

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意法半导体

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 9A - TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT

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更新时间:2025-12-27 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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