发布企业：深圳市鑫远鹏科技有限公司时间：2023-5-31 9:13:00
GNP1070TC-Z 和 GNP1150TCA-Z 650 V 氮化镓 (GaN) HEMT 针对广泛的电源系统应用进行了优化。这些产品是与开发 GaN 器件的 Delta Electronics, Inc. 的子公司 Ancora Semiconductors, Inc. 共同开发的。
提高占世界电力消耗大部分的电源和电机的效率已成为实现脱碳社会的重大障碍。采用 GaN 和 SiC 等新材料是提高电源效率的关键。
在 2023 年 3 月开始批量生产 2022 年栅极击穿电压为 8 V 的 150 V GaN HEMT 之后，ROHM 建立了控制 IC 技术以最大限度地提高 GaN 性能。这一次，ROHM 开发了具有市场领先性能的 650 V GaN HEMT，有助于在更广泛的电源系统中实现更高的效率和更小的尺寸。
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