型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GP10N65SY

650V/10A Trench and Field Stop IGBT

Features:  650V 10A,VCE(sat)(typ.) = 1.8 V@10A  High ruggedness performance  10μs short circuit capability  Positive VCE (sat) temperature coefficient  High efficiency for motor control  Excellent current sharing in parallel operation  RoHS compliant Applications:  Home appliances

LUGUANG

鲁光电子

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:2.33384 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件:2.17857 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Drain Current ID= 2A@ TC=25C

文件:136.58 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.07913 Mbytes Page:10 Pages

WXDH

东海半导体

10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.07854 Mbytes Page:10 Pages

WXDH

东海半导体

更新时间:2026-1-3 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
25+
TO220
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
VISHAY/威世
24+
DO-41
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
ST
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
VISHAY
20+
DO-41
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST
23+
TO-220
65480
ST
23+
TO-220
61847
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
S
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
VISHAY/威世
24+
DO-41
60000
全新原装现货
ST/意法
23+
TO-220FP
26000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
69000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

GP10N65SY数据表相关新闻