GN1L4Z晶体管资料
GN1L4Z别名：GN1L4Z三极管、GN1L4Z晶体管、GN1L4Z晶体三极管
GN1L4Z生产厂家：NEC
GN1L4Z制作材料：Si-P+R
GN1L4Z性质：中速 （MS）_开关管 （SW）
GN1L4Z封装形式：贴片封装
GN1L4Z极限工作电压：60V
GN1L4Z最大电流允许值：0.1A
GN1L4Z最大工作频率：<1MHZ或未知
GN1L4Z引脚数：3
GN1L4Z最大耗散功率：0.15KW
GN1L4Z放大倍数：
GN1L4Z图片代号：H-15
GN1L4Zvtest：60
GN1L4Zhtest：999900
- GN1L4Zatest：0.1
GN1L4Zwtest：150
GN1L4Z代换 GN1L4Z用什么型号代替：DTA144TU,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GN1L4Z | MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPEPNPTRANSISTOR? FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoGA1F4Z | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  |   |
GN1L4Z | SILICONTRANSISTOR 文件：313.02 Kbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit. | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit. | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L4Z | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L4Z | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit. | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | |
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2020-1-11
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