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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

KEYSTONE

20V P-Channel Increased MOS FET

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FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富满微富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-8-6 11:33:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
SOP
2700
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