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GD25Q128ESIGR	封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）包装：管件描述：128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20 集成电路（IC）存储器	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司
GD25Q128EWIGR	封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘包装：管件描述：128MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 6 集成电路（IC）存储器	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司
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25Q128FVEF	SERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI 1.GENERALDESCRIPTIONS TheW25Q128FV(128M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimited space,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerial Flashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcode	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司

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更新时间：2025-7-25 19:00:00

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GD25Q16CSIG3.3V统一扇区双串行和四串行闪存GD25Q16C（16M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），温度范围-40℃to+85℃并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（保持）。双I/O 数据以240Mbits/s的速度传输，四路I/O和四路输出数据以480Mbits/s的速度传输
2019-11-14

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