| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( | TOSHIBA 东芝 |   | ||
Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
更新时间：2025-12-31 16:30:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
A |
24+ |
TO-3P |
11 |
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TOSHIBA |
25+ |
模块 |
18000 |
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TOSHIBA |
2015+ |
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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TOSHIBA |
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TOS |
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TO-3PL |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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G68-2114P-US-12V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-9-13G68-1114P-12VDC
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2019-9-13
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