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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

Discrete IGBTs

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东芝

更新时间:2025-12-31 11:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TO-3PL
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原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税
TOSHIBA
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TO-264
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原装正品支持实单
TOSHIBA/东芝
22+
TO-3PL
6000
十年配单,只做原装

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