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GT60M301中文资料

厂家型号

GT60M301

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5

功能描述

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)

Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

GT60M301数据手册规格书PDF详情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

GT60M301产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT60M301

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    900V 60A Cut Tape

更新时间:2026-2-28 10:32:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
05+
TO-3PL
10000
全新原装 绝对有货
TOSHIBA
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TO/3P
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