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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GT60M301 | N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( | TOSHIBA 东芝 |   | |
GT60M301 | Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
GT60M301 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS | TOSHIBA 东芝 | |
GT60M301产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT60M301
- 制造商
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
- 制造商
Toshiba
- 功能描述
900V 60A Cut Tape
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
23+ |
TO3PL |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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面谈 |
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TOSHIBA |
05+ |
TO-3PL |
10000 |
全新原装 绝对有货 |
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TOSHIBA |
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2025-3-26GT8E-8S-HU
原装正品现货
2022-4-22GT24C1024-2GLI
GT24C1024-2GLI，全新原装.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
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GT50GR22 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-1GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-14
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