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HiPerFET-TM Power MOSFET

HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die Features • Conforms to SOT-227B outline • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • Fast intrinsic Rectifier Applications • DC-DC converters • Batte

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features ● International standard packages ● miniBLOC, with Aluminium nitride isolation ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● Low package inductanc

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艾赛斯

HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside)

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-26 11:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
22+
SOT2274 miniBLOC
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
IXYS
25+
SOT-227
326
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