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G30N03A

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半导体

30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMW

友台半导体

30V N-Channel Power

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

30A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.0152 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-30 13:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOFORD
22+
DFN
20000
公司只做原装 品质保障
GOFORD
23+
DFN
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FAIRCHILD/仙童
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TO-247
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FAIRCHILD/仙童
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TO247
6893
十五年行业诚信经营,专注全新正品
GOFORD
23+
DFN3X3
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
哈里斯
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TO-3P
10000
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60000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
SEC
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
GOFORD(谷峰)
2447
DFN3X3-8L
105000
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,

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