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G30N03A

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半导体

30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMW

友台半导体

30V N-Channel Power

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01839 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

30A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

文件:235.42 Kbytes Page:5 Pages

KIA

可易亚半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.0152 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-29 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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