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HEXFET POWER MOSFET

DESCRIPTION As the SMPS MOSFET, the UTC 22N60 uses UTC’s advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 0.35Ω * Ultra Low Gate Charge

UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

22A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:211.84 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-Channel MOSFET

文件:986.23 Kbytes Page:2 Pages

ESTEK

伊泰克电子

N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165W

文件:532.87 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-10-21 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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