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HEXFET POWER MOSFET

DESCRIPTION As the SMPS MOSFET, the UTC 22N60 uses UTC’s advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 0.35Ω * Ultra Low Gate Charge

UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

22A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:211.84 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-Channel MOSFET

文件:986.23 Kbytes Page:2 Pages

ESTEK

伊泰克电子

N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165W

文件:532.87 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-30 9:48:01
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    G2401CG,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

    G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

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    G2R-1-12V ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • G20N50C公司原装现货/随时可以发货

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    概述 在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3(系列存根终止逻辑)的DDR- SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR- SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

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