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G20N60HS	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
20N60	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
20N60B	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation
20N60	FastSwitching 文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20N60	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET 文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
20N60A	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor 文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司

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更新时间：2025-5-14 22:30:00

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深圳市科芯源微电子有限公司	G20N60RUFD	FAIRCHILD/仙童	25+	TO3P	3089	原装正品,假一罚十!	询价
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深圳兆威电子有限公司	G20N60RUFD	FAIRCHILD	23+	TO-3P	1280	房间现货	询价
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G1454LR41U
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
G2401CG
G2401CG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-10
G219R-D3，G28F640J5-150，G571S1，G6CH-1G8425-L224-R，
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2020-2-26
G20N50C公司原装现货/随时可以发货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-4-16
G2995-DDR终端稳压器
概述在G2995是一个线性稳压器设计，以满足JEDECSSTL-2和SSTL-3（系列存根终止逻辑）的DDR-SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器，可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR-SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚，G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压，无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此，电力消耗满足低功耗的应用。
2013-1-29

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