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20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

文件:95.42 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-12-30 23:01:01
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  • G1454LR41U

    https://hch01.114ic.com/

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  • G2401CG

    G2401CG,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

    G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

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  • G20N50C公司原装现货/随时可以发货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-4-16
  • G2995-DDR终端稳压器

    概述 在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3(系列存根终止逻辑)的DDR- SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR- SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

    2013-1-29