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G160N04K

40V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) • High Current Rating ID(DC) = ±160 A

NEC

瑞萨

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:234.66 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:297.12 Kbytes Page:8 Pages

NEC

瑞萨

Product Scout Automotive

文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages

RENESAS

瑞萨

Product Scout Automotive

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-1-4 11:44:00
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