用于二维红外成像的192 × 96像素图像传感器

G13441-01具有由一个CMOS读出电路（ROIC，读出集成电路）和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟凸点连接组成的。ROIC内部的时序产生器可使仅通过外部数字输入，即可获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有192×96个像素，间距为50um，信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号，再通过铟凸点输入ROIC。ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号，然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为金属密封封装，内含二级TE制冷，稳定性高。 \n-光谱响应范围1.3 to 2.15 μm\n-灵敏度 1600 nV/e-\n-帧速率（最大值）867 fps\n-全像素同步积分（全局快门模式）\n-操作简单（内置时序产生器）\n-二级TE制冷;

Rubber Grommets

文件：92.54 Kbytes Page：1 Pages

Heyco Rubber Grommets

文件：81.29 Kbytes Page：2 Pages

Heyco Rubber Grommets

文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages

Heyco Rubber Grommets

文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages

Rubber Grommets

文件：91.93 Kbytes Page：1 Pages

Rubber Grommets

文件：92.54 Kbytes Page：1 Pages

Heyco Rubber Grommets

文件：81.29 Kbytes Page：2 Pages

N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET

The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode . . . designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to 400 MHz range. • Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance Output Power = 5.0 Watts Minimum Gain = 11 dB

Zener Diode, 1 Watt 짹5 Tolerance

Features: • Zener Voltage 110V to 200V • Low Cost • Low Zener Impedance • Excellent Clamping • Easily Cleaned with Freon, Alcohol, Chlorothene, and Similar Solvents

Zener Diode, 1 Watt 짹5 Tolerance

Features: • Zener Voltage 110V to 200V • Low Cost • Low Zener Impedance • Excellent Clamping • Easily Cleaned with Freon, Alcohol, Chlorothene, and Similar Solvents

3-Terminal Adjustable Current Sources

文件：273.64 Kbytes Page：14 Pages

3-Terminal Adjustable Current Sources

文件：273.64 Kbytes Page：14 Pages