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G080P06M

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080P06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080P06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-9-30 22:59:00
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