| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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G080P06M | 丝印代码：G080P06；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080P06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 |   | |
G080P06M | -60V P Channel TRENCH MOSFET The G080P06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | GOFORD 谷峰半导体 | | |
丝印代码：G080P06；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080P06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.22227 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
G080P06M产品属性
- 类型
描述
- Package：
TO-263
- Type：
P
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
-60
- Vgs(V)：
±20
- Id(A)：
-195
- Pd(W)：
294
- Vgs(th)max(V)：
-4
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
6.2
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
7.5
- Qg(nC)：
186
- Qgs(nC)：
43
- Qgd(nC)：
56
- Ciss(pF)：
15870
- Crss(pF)：
730
- Technology：
TRENCH
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHIMEI奇美 |
23+ |
800480 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
26+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
G |
23+ |
S |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ASTEC |
2026+ |
SOT353 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
|||
ND |
20+ |
LQFP |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
|||
ROHM/罗姆 |
2403+ |
MSOP8 |
6489 |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
|||
CMO |
24+ |
65200 |
|||||
UK |
10000PF20 |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MARVELL |
QFN12 |
23+ |
8000 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
NS/国半 |
MSOP8 |
6698 |
G080P06M规格书下载地址
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- G08BG
- G08BF
- G08BE
- G08BC
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- G08BA
- G0-876-112
- G0-875-113-1
- G0-873-106-3
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- G085VW01 V0
- G085
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2019-4-16
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