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G080P06M中文资料

厂家型号

G080P06M

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887.76Kbytes

页面数量

6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二

简称

GOFORD谷峰半导体

生产厂商

GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

官网

LOGO

G080P06M数据手册规格书PDF详情

Description

The G080P06M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2025-6-22 11:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
69000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
CMO
24+
65200
CHIMEI奇美
23+
800480
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CMO
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货
CMO
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货
G
24+
S
5000
只做原装公司现货
G
23+
S
50000
全新原装正品现货,支持订货
G
24+
NA/
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
G
25+
S
2000
原装正品,假一罚十!

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GOFORD SEMICONDUCTOR

中文资料: 680条

Goford是一家专注于半导体领域的公司,致力于为多个行业提供丰富多样的MOSFET产品及相关解决方案。其产品涵盖P沟道和N沟道MOSFET等多种类型,如GT011N03D5E具备30V超低导通电阻和ESD保护能力,适用于电机控制;GT095N10采用先进沟槽技术,可应用于电源、LED驱动等领域;GT023N10凭借大电流承载能力等优势,成为电机控制和电池管理系统(BMS)的理想选择。此外,公司还提供工业电源解决方案。Goford注重产品研发和技术创新,拥有完善的MOSFET组装工艺,并提供关于如何选择替代产品等资源内容,旨在为客户提供优质的半导体产品和专业的技术支持 。