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G06N02H

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G06N02H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G06N02H

20V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET

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微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-1-1 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOFORD/谷峰
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