| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
G06N02H | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G06N02H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 |   | |
G06N02H | 20V N Channel TRENCH MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | | |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68913 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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更新时间：2025-11-10 11:10:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GOFORD/谷峰 |
23+ |
SOP-8 |
3083 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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WISCHIP |
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BGA |
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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WIS |
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保证进口原装可开17%增值税发票 |
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GOFORD(谷峰) |
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INFINEON |
23+ |
TO220-3 |
8000 |
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WISchip |
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BGA196 |
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WIS |
23+ |
BGA |
5500 |
现货,全新原装 |
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QFP |
8 |
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Goford Semiconductor |
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