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G06N02H中文资料

厂家型号

G06N02H

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557.4Kbytes

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G06N02H数据手册规格书PDF详情

Description

The G06N02H uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Application

⚫ Power switch

⚫ DC/DC converters

更新时间:2025-11-2 14:01:00
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