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FZ1800R12HE4_B9

IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

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Infineon

英飞凌

FZ1800R12HE4_B9

1200 V、1800 A 单开关 IGBT 模块

Infineon

英飞凌

FZ1800R12HE4_B9产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FZ1800R12HE4_B9

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT 1200V 1800A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-11-23 14:02:00
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