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FZ1800R12HE4_B9中文资料

厂家型号

FZ1800R12HE4_B9

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610.82Kbytes

页面数量

9

功能描述

IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

IGBT 模块 IGBT 1200V 1800A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

FZ1800R12HE4_B9产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FZ1800R12HE4_B9

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT 1200V 1800A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-12-4 8:56:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
INFINEON
23+
IGBT
675
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
Infineon/英飞凌
24+
AG-IHMB190-2
8000
只做原装,欢迎询价,量大价优
Infineon/英飞凌
2025+
AG-IHMB190-2
8000
Infineon Technologies
23+
原装
7000
INFINEON/英飞凌
2023+
module
48000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
Infineon/英飞凌
23+
AG-IHMB190-2
12700
买原装认准中赛美
Infineon/英飞凌
2021+
AG-IHMB190-2
9600
原装现货,欢迎询价